SiC陶瓷材料的無壓燒結

SiC陶瓷材料的高溫真空燒結爐反應燒結雖然簡便易行，但無法根除產品中殘留的Si,因 而使用溫度較低，同時也給應用環(huán)境和工況條件帶來諸多的限制。單就陶瓷材 料力學性能指標而言，高溫真空燒結爐熱壓燒結工藝無疑更易于獲得較高的力學性能和更為均 勻的顯微結構，但高溫真空燒結爐熱壓燒結產品的形狀單一、成本高。因此人們的興趣逐漸由 熱壓燒結SiC和反應燒結SiC逐漸轉向為高溫真空燒結爐的無壓燒結SiC^［13J4］o無壓燒結可以制 備形狀復雜的零件和大尺寸的SiC陶瓷部件，而且相對容易實現工業(yè)化，因 此，被認為是SiC陶瓷復合材料最有前途的燒結方法。與高溫燒結爐反應燒結方法相比， 無壓燒結SiC的純度較高，SiC的質量分數大于97%,耐腐蝕性大大優(yōu)于反應 燒結SiC,產品更具有市場競爭力。

純SiC陶瓷材料屬于很強的共價鍵型穩(wěn)定化合物，利用高溫真空燒結爐無壓燒結方法很難 燒結，因而必須借助于添加劑G根據不同的添加劑高溫真空燒結爐無壓燒結又可分為固相燒 結和液相燒結兩種。B-C和T1B,等是SiC固相燒結的有效添加劑,Al₂o₃-Y₂o₃ 和A1₄Cj-B₄C等是SiC液相燒藥的有效添加劑。無論是固相燒結還是液相燒 結，均在惰性氣體（氧氣）保護下燒結。