碳化硅燒結(jié)爐-碳化硅襯底沉積高取向金剛石薄膜

碳化硅燒結(jié)爐生產(chǎn)碳化硅。采用直流輝光放電等離子體設(shè)備在單晶碳化硅表面沉積高晶取向金剛石薄膜。研究了基片溫度以及甲烷濃度對(duì)金剛石薄膜晶粒取向的影響。用SEM等測試方法對(duì)金剛石薄膜進(jìn)行表征。過高或過低的基片溫度會(huì)使得金剛石薄膜表現(xiàn)出（111）面生長的趨勢。高甲烷濃度和低甲烷濃度也會(huì)使得金剛石薄膜晶粒取向發(fā)生改變。最終采用850度以及5%甲烷濃度這一沉積參數(shù)進(jìn)行金剛石薄膜的沉積，并制備出了取向度非常好的（100）面金剛石薄膜。高溫碳化硅燒結(jié)爐專業(yè)生產(chǎn)碳化硅。

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